氧化鋅生長方向在低溫沉積時比較多變

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       氧化鋅廠家:氧化鋅納米材料與Cu納米棒異質(zhì)結(jié)構(gòu)陣列的形成主要受溫度的影響。直接在納米碳材料表面生長氧化鋅納米線則必須有催化劑的誘導,而且隨沉積溫度的升高氧化鋅的形態(tài)由線到棒最后形成顆粒。
  各種氧化鋅微/納米材料的晶體結(jié)構(gòu)及生長行為,對探討其產(chǎn)生獨特性能的原因,設(shè)計新型功能材料,以及進一步拓展氧化鋅材料的應用領(lǐng)域都有重要意義。
  氧化鋅是一種具有優(yōu)異壓電和光電特性的直接帶隙寬禁帶半導體材料,多變的形態(tài)結(jié)構(gòu)直接決定其物理性質(zhì)及應用潛力。
  氧化鋅廠家在高溫沉積時催化劑顆粒出現(xiàn)在納米帶的頂部,納米帶的生長方向受催化劑晶格匹配的影響。研究中還利用催化劑或誘導劑的作用合成了梳子狀氧化鋅材料,并實現(xiàn)了定向生長。
  氧化鋅生長方向在低溫沉積時比較多變,在高溫沉積時其生長方向僅為10-10或2-1-10.最后,在碳熱還原過程中討論了氧化鋅與炭布、碳納米管(CNTs)及銅納米棒陣列復合材料的生長行為。研究發(fā)現(xiàn),大尺寸炭材料易于與氧化鋅納米材料形成復合物。
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